MT41K256M16HA-107:E vs MT41K256M16HA-125:E Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16HA-107:E disebabkan oleh Micron Technology dan MT41K256M16HA-125:E disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16HA-107:E | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | — |
| Kemasan | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Suhu Operasi | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Kadar Data | 1866 MT/s | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bilangan Pin | 96 | 96 |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensi CAS | 13 (typical) | 13.75 ns |
| Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Gambaran Suhu Operasi | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Lebar Bus Data | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |