MT41K256M16HA-107:E vs NT5CC256M16ER-EK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-107:E द्वारा Micron Technology और NT5CC256M16ER-EK द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16HA-107:E | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V |
| पैकेज | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| डेटा दर | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS लेटेंसी | 13 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |