MT41K256M16HA-107:E vs NT5CC256M16ER-EK Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16HA-107:E disebabkan oleh Micron Technology dan NT5CC256M16ER-EK disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16HA-107:E | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.35 V |
| Kemasan | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96 |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Suhu Operasi | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Antaramuka | Parallel | Parallel |
| Kadar Data | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bilangan Pin | 96 | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensi CAS | 13 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |