MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16LY-107:N द्वारा Micron Technology और H5TQ4G63AFR-H9C द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16LY-107:N | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.50 |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.5 V |
| पैकेज / केस | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| माउंटिंग स्टाइल | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| पैकेज | — | 96-ball TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| डेटा दर | — | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |