MT53B128M32D1DS-062 vs MT53B128M32D1NP-062 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT53B128M32D1DS-062 द्वारा Micron Technology और MT53B128M32D1NP-062 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT53B128M32D1DS-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT53B128M32D1DS-062 ✓ सक्रियMicron Technology
MT53B128M32D1NP-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT53B128M32D1NP-062 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT53B128M32D1DS-062 | MT53B128M32D1NP-062 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - Mobile LPDDR4 | Mobile LPDDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 128M x 32 | 128M x 32 |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.6 GHz |
| डेटा दर | DDR-3200 (3200 MT/s class) | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.1 V | — |
| इंटरफ़ेस | LPDDR4 (JEDEC low-power DDR) | JEDEC LPDDR4 |
| पैकेज | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range for base suffix] | — |
| Speed Grade | -062 | -062 |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tAA access time] | — |
| Refresh Scheme | [DATA_NEEDED: refresh scheme 1x/2x/4x] | — |
| RoHS स्थिति | RoHS compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Format | Volatile DRAM | — |
| Package Case Size | 10 mm x 14.5 mm | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Operating Temperature (AUT:A variant) | — | -40C to +125C (TC) |
| Operating Temperature (AAT:A variant) | — | -40C to +105C (TC) |
| Automotive Qualification (AUT:A variant) | — | AEC-Q100 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR variants) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Data Rate Class | — | [DATA_NEEDED: MT/s data rate] |