MT53B128M32D1DS-062 vs MT53B128M32D1NP-062 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53B128M32D1DS-062 제조: Micron Technology 및 MT53B128M32D1NP-062 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT53B128M32D1DS-062 | MT53B128M32D1NP-062 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.45 | $6.05 |
| 메모리 유형 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | Mobile LPDDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 128M x 32 | 128M x 32 |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.6 GHz |
| 데이터 속도 | DDR-3200 (3200 MT/s class) | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.1 V | — |
| 인터페이스 | LPDDR4 (JEDEC low-power DDR) | JEDEC LPDDR4 |
| 패키지 | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for base suffix] | — |
| Speed Grade | -062 | -062 |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tAA access time] | — |
| Refresh Scheme | [DATA_NEEDED: refresh scheme 1x/2x/4x] | — |
| RoHS 상태 | RoHS compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Format | Volatile DRAM | — |
| Package Case Size | 10 mm x 14.5 mm | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Operating Temperature (AUT:A variant) | — | -40C to +125C (TC) |
| Operating Temperature (AAT:A variant) | — | -40C to +105C (TC) |
| Automotive Qualification (AUT:A variant) | — | AEC-Q100 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR variants) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Data Rate Class | — | [DATA_NEEDED: MT/s data rate] |