H5TC4G63AFR-H9A vs K4B4G1646E-BYMA Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil H5TC4G63AFR-H9A dari SK hynix dan K4B4G1646E-BYMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum H5TC4G63AFR-H9A K4B4G1646E-BYMA
Merek SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14,32
Tipe Memori DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Tegangan Pemuat 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Laju Data 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Latensi CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Paket 96-ball FBGA FBGA-96
Suhu Kerja 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C
Lead-Free Yes —
Bebas Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Self-Refresh Yes —
Auto-Refresh Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Tipe Mounting — Surface Mount
RoHS — Compliant
Jumlah Pin — 96

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon