H5TC4G63AFR-H9A vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5TC4G63AFR-H9A disebabkan oleh SK hynix dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr H5TC4G63AFR-H9A K4B4G1646E-BYMA
Merek SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14.32
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Kadar Data 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Latensi CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Kemasan 96-ball FBGA FBGA-96
Suhu Operasi 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C
Lead-Free Yes —
Boson Bebas Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Self-Refresh Yes —
Auto-Refresh Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Jenis Pemasangan — Surface Mount
RoHS — Compliant
Bilangan Pin — 96

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga