H5TC4G63AFR-H9A vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-H9A bằng SK hynix và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-H9A K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu SK hynix Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Latency CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Hộp 96-ball FBGA FBGA-96
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Self-Refresh Yes —
Auto-Refresh Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
RoHS — Compliant
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá