1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED020I12FA2XUMA2 比較

詳細な並列比較: 1ED020I12B2XUMA1 メーカー: Infineon および 1ED020I12FA2XUMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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1ED020I12FA2XUMA2 1ED020I12FA2XUMA2 - 2A Isolated Gate Driver | Infineon

1ED020I12FA2XUMA2 - 2A Isolated Gate Driver | Infineon

1ED020I12FA2XUMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12FA2XUMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.65 $2.46
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated IGBT / SiC / GaN compatible
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms 4500 Vrms
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
パッケージ PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-20
Creepage Distance 8 mm —
動作温度 -40 °C to +125 °C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance RoHS compliant —
機能 — Galvanically isolated single-channel IGBT gate driver
Output Current (Source/Sink) — 2 A (rail-to-rail)
Configuration — Single low-side / high-side driver
動作温度範囲 — -40 C to +125 C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — [DATA_NEEDED: CMTI value]
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: tpd value]
UVLO Primary Side — [DATA_NEEDED: VUVLO_VCC1]
UVLO Secondary Side — [DATA_NEEDED: VUVLO_VCC2]
Propagation Delay Matching — [DATA_NEEDED: matching value]
RoHS ステータス — Compliant
Insulation Type — Basic insulation per DIN EN 60747-5-2

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