1ED3142MU12FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3142MU12FXUMA1 メーカー: Infineon および 1ED020I12B2XUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ 1ED3142MU12FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $2.65
Product Type Galvanically Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 1 1
Peak Source/Sink Output Current 6.5 A (typical) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (DigiKey rating) 3000 Vrms —
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) 2300 V —
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] —
Input Supply Voltage (VCC1) [DATA_NEEDED: value] —
Propagation Delay (typical) 42 ns —
Target Power Switches SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs —
パッケージ PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction/ambient range] —
Protection Features UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection —
Output Stage Separate source/sink pins, totem-pole —
RoHS ステータス Compliant —
Family Infineon EiceDRIVER 1ED31xx —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
動作温度 — -40 °C to +125 °C
MSLレベル — MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Compliance — RoHS compliant

データシート&リソース

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