1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDI20N12AFXUMA1 メーカー: Infineon および 2ED2183S06FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2183S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDI20N12AFXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.45 $1.05
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
出力構成 Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
パッケージ PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
動作温度範囲 -40 °C to +125 °C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 2 (per JEDEC J-STD-020) 2
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
出力数 — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
立ち上がり時間 — 15 ns
立ち下がり時間 — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
動作温度 — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)
RoHS ステータス — Compliant

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