1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок 1EDI20N12AFXUMA1 от Infineon и 2ED2183S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
1EDI20N12AFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 4A/3.5A | Infineon
1EDI20N12AFXUMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | 1EDI20N12AFXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,45 | $1,05 |
| Driver Configuration | Single high-side, isolated | — |
| Isolation Type | Galvanic (coreless transformer), reinforced | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Maximum Supply Voltage (Output Side) | 17 V | — |
| Minimum Supply Voltage (Output Side) | 3.1 V | — |
| Peak Source Current | 4.0 A (typical) | — |
| Peak Sink Current | 3.5 A (typical) | — |
| Working Voltage (Isolation) | 1200 V (high-side rail reference) | — |
| Propagation Delay | 120 ns (typical) | — |
| Выходная конфигурация | Separate source and sink pins | — |
| Short-Circuit Clamping | Yes (built-in) | — |
| Корпус | PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C to +125 °C | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 2 (per JEDEC J-STD-020) | 2 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Количество выходов | — | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Configuration | — | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| Время нарастания | — | 15 ns |
| Время спада | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | VCC and VBS |
| Рабочая температура | — | -40 C to +125 C |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) |
| Статус RoHS | — | Compliant |