6EDL04I065NRXUMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 比較

詳細な並列比較: 6EDL04I065NRXUMA1 メーカー: Infineon および IDL04G65C5XUMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ 生産中
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IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 6EDL04I065NRXUMA1 IDL04G65C5XUMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Diodes
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.92 $0.92
トポロジー 3-phase gate driver (6 channels) —
出力構成 Non-inverting half-bridge drivers —
Maximum Blocking Voltage 650 V —
Number of Channels 6 —
Driver Type IGBT / MOSFET gate driver —
Technology Infineon thin-film SOI —
Integrated Bootstrap Diode (BSD) Yes —
Over Current Protection (OCP) Yes —
Enable Input (EN) Yes —
Fault Output Yes —
パッケージ PG-TSSOP-25 PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount, Tape & Reel
Family 6EDL04x065xR —
RoHS ステータス Compliant —
Datasheet Document Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5
Diode Type — Silicon Carbide (SiC) Schottky
Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) — 650 V
Continuous Forward Current (I_F(AV)) — 4 A
Total Capacitive Charge (Q_C) — 7 nC (typical)
Forward Voltage (V_F) — 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet)
Reverse Leakage Current (I_R) — 70 µA at 650 V
Junction Capacitance (C_J) — 130 pF at 1 V, 1 MHz
Reverse Recovery Time (t_rr) — 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage)
動作接合温度 — -55°C to +175°C
ピン数 — 4 (with exposed thermal pad)
RoHS / REACH — RoHS Compliant (per Infineon product page)

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