BFU520AR vs BFU520R 比較

詳細な並列比較: BFU520AR メーカー: NXP Semiconductors および BFU520R メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
BFU520AR BFU520AR - NPN RF Transistor 12V 30mA 10GHz | NXP

BFU520AR - NPN RF Transistor 12V 30mA 10GHz | NXP

BFU520AR ✓ 生産中
NXP Semiconductors
BFU520R BFU520R - NPN 12V 10.5GHz Wideband RF Transistor | NXP

BFU520R - NPN 12V 10.5GHz Wideband RF Transistor | NXP

BFU520R ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BFU520AR BFU520R
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ Transistors Transistors
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.26 $0.18
トランジスタタイプ NPN wideband silicon RF BJT NPN wideband silicon RF BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) 12 V —
Continuous Collector Current (IC) 30 mA —
遷移周波数(ft) 10 GHz 10.5 GHz
Total Power Dissipation (Ptot) 450 mW —
パッケージ SOT-23 (TO-236AB), 3-pin SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Qualification AEC-Q101 (automotive qualified per distributor listing) —
Product Family BFU5 wideband RF transistor family —
Intended Application Band Small signal to medium power up to 2 GHz —
Polarity NPN —
Noise Figure [DATA_NEEDED: noise figure] [DATA_NEEDED: noise figure in dB]
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Reel (R suffix, tape and reel) —
コレクタ-エミッタ間電圧(Vceo) — 12 V
Collector Current (IC max) — 30 mA
Total Power Dissipation — 450 mW
Frequency Range — up to 2 GHz application range
Noise Performance — Low noise, high breakdown
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Family — BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors)
Configuration — Single NPN, dual-emitter
Application Class — Small signal to medium power
Gain — [DATA_NEEDED: gain]

データシート&リソース

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