BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC010NE2LSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC015NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ 生産中
Infineon
BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC015NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC015NE2LS5IATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC010NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $0.69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series / Family OptiMOS 25V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
パッケージ PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 trench
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
ピン数 8 8
RoHS ステータス Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼