BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon e BSC015NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC010NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series / Family OptiMOS 25V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 trench
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Contagem de pinos 8 8
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Product Family — OptiMOS 5 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.5 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 50 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Fichas técnicas e recursos

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