BSC027N04LSGATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC0504NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC027N04LSGATMA1 BSC0504NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $0.00
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
消費電力(TC=25°C) 83 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant unknown
ハロゲンフリー Yes —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
ピン数 — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
ゲートしきい値電圧 — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
熱抵抗 — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼