BSC027N04LSGATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N04LSGATMA1 par Infineon et BSC0504NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC027N04LSGATMA1 BSC0504NSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,00
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant unknown
Sans halogène Yes —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
Nombre de broches — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
Tension de seuil de grille — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Résistance thermique — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

Fiches techniques et ressources

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