BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N10NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC118N10NSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC027N10NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 NRND 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.10 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
パッケージ PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Product Family — OptiMOS 2
FET Type — N-Channel
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
動作接合温度 — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
ハロゲンフリー — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

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