BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon e BSC118N10NSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC027N10NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,10 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
Encapsulamento PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Product Family — OptiMOS 2
FET Type — N-Channel
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
Livre de halogênio — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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