BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC030N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC039N06NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC030N08NS5ATMA1 BSC039N06NSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.55 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
パッケージ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
Series — OptiMOS 5
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
動作接合温度 — -55C to +150C
ピン数 — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max

データシート&リソース

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