BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC033N08NS5SCATMA1 メーカー: Infineon および BSC040N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ 生産中
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BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC033N08NS5SCATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $1.15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Tc) 144 A —
Power Dissipation (Tc) 136 W —
RDS(on) max @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Thermal Resistance RthJC 0.86 K/W —
パッケージ PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +175C —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 1
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

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