BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC033N08NS5SCATMA1 por Infineon e BSC040N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC033N08NS5SCATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Tc) 144 A —
Power Dissipation (Tc) 136 W —
RDS(on) max @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Thermal Resistance RthJC 0.86 K/W —
Encapsulamento PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

Fichas técnicas e recursos

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