BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC033N08NS5SCATMA1 от Infineon и BSC040N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC033N08NS5SCATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $1,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | 144 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 136 W | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Thermal Resistance RthJC | 0.86 K/W | — |
| Корпус | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Part Number | — | BSC040N08NS5ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | — | 121 A |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 4 mOhm |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 104 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Primary Application | — | Synchronous rectification in telecom and server power supplies |