BSC039N06NSATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC039N06NSATMA1 メーカー: Infineon および BSC030N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC039N06NSATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.46 $0.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
動作接合温度 -55C to +150C —
パッケージ PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS 5
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
ハロゲンフリー — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

データシート&リソース

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