BSC039N06NSATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC039N06NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC030N08NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC039N06NSATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.46 $0.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
동작 접합 온도 -55C to +150C —
패키지 PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS 5
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
할로겐 프리 — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

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