BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC042NE7NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC0993NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC042NE7NS3GATMA1 BSC0993NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.24 $1.32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼