BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon e BSC0993NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC0993NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,24 | $1,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TISON-8 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Array) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | — | 17 A |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |