BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC047N08NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC042NE7NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.46 | $1.24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 19 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55C to +150C |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| MSLレベル | — | 1 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |