BSC0502NSIATMA1 vs BSC0993NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0502NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC0993NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC0502NSIATMA1 BSC0993NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.85 $1.32
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
動作温度範囲 -55C to +150C -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-TISON-8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

データシート&リソース

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