BSC0502NSIATMA1 vs BSC0993NDATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC0502NSIATMA1 제조: Infineon 및 BSC0993NDATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC0502NSIATMA1 BSC0993NDATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.85 $1.32
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
동작 온도 범위 -55C to +150C -55C to +150C (junction)
패키지 PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-TISON-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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