BSC0504NSIATMA1 vs IPT007N06NATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0504NSIATMA1 メーカー: Infineon および IPT007N06NATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0504NSIATMA1 IPT007N06NATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $2.84
トランジスタタイプ N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
パッケージ PG-TDSON-8-6 PG-HSOF-8-1 (TOLL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ゲートしきい値電圧 [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
熱抵抗 [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C (TJ)
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS ステータス unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
MSLレベル — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

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