BSC0504NSIATMA1 vs IPT007N06NATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC0504NSIATMA1 제조: Infineon 및 IPT007N06NATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC0504NSIATMA1 IPT007N06NATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $2.84
트랜지스터 유형 N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
패키지 PG-TDSON-8-6 PG-HSOF-8-1 (TOLL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
게이트 임계 전압 [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
열 저항 [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C (TJ)
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS 상태 unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
MSL 레벨 — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

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