BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC060N10NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSC094N06LS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC060N10NS3GATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 125 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 3.5 V —
動作接合温度 -55 C to +150 C -55 °C to +150 °C
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 (logic-level)
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー [DATA_NEEDED: halogen status] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W

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