BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC117N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N10S5N040ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC117N08NS5ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.46 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS-5
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
パッケージ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
動作温度範囲 -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55C to +175C (junction)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 MSL1 (up to 260C peak reflow)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection

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