BSC120N03LSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC120N03LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC030N03LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC120N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 12 mOhm (typical) —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 28 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) —
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS ステータス Compliant Compliant
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
動作接合温度 — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

データシート&リソース

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