BSC190N12NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC190N12NS3GATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC190N12NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.34
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC190N12NS3GATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 8.6 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
動作温度範囲 -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (UIS-tested) —
Body Diode Integrated —
RoHS ステータス Compliant (JESD-609 Code e3) Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Single with built-in diode —
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
ピン数 — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼