BSC520N15NS3 vs BSC520N15NS3G 比較

詳細な並列比較: BSC520N15NS3 メーカー: Infineon および BSC520N15NS3G メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC520N15NS3 BSC520N15NS3 - 150V 21A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3 - 150V 21A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3 ✓ 生産中
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BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC520N15NS3 BSC520N15NS3G
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $0.62
Technology OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 21 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 84 A —
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 52 mOhm —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3 V —
Power Dissipation (TC=25C) 57 W —
動作接合温度 -55C to +150C -55C to +150C
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC520N15NS3 G
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
ピン数 — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

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