BSC520N15NS3 vs BSC520N15NS3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC520N15NS3 par Infineon et BSC520N15NS3G par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC520N15NS3 BSC520N15NS3G
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,62
Technology OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 21 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 84 A —
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 52 mOhm —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3 V —
Power Dissipation (TC=25C) 57 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC520N15NS3 G
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Nombre de broches — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

Fiches techniques et ressources

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