BSC520N15NS3G vs BSC520N15NS3 比較

詳細な並列比較: BSC520N15NS3G メーカー: Infineon および BSC520N15NS3 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ 生産中
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BSC520N15NS3 BSC520N15NS3 - 150V 21A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3 - 150V 21A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC520N15NS3G BSC520N15NS3
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC520N15NS3 G —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
動作接合温度 -55C to +150C -55C to +150C
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 21 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 84 A
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 52 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3 V
Power Dissipation (TC=25C) — 57 W
MSLレベル — 1
RoHS ステータス — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated

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