BSC520N15NS3G vs BSC520N15NS3 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC520N15NS3G von Infineon und BSC520N15NS3 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC520N15NS3G BSC520N15NS3
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC520N15NS3 G —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 21 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 84 A
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 52 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3 V
Power Dissipation (TC=25C) — 57 W
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated

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