BSC520N15NS3G vs BSC520N15NS3 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC520N15NS3G 제조: Infineon 및 BSC520N15NS3 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC520N15NS3G BSC520N15NS3
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.62 $0.71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC520N15NS3 G —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
동작 접합 온도 -55C to +150C -55C to +150C
패키지 PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 21 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 84 A
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 52 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3 V
Power Dissipation (TC=25C) — 57 W
MSL 레벨 — 1
RoHS 상태 — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated

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