BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6906XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP135H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP129H6906XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP135H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) Normally-On (Depletion)
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: TJ max]
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 1 (unlimited floor life)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 Ohm (max)
Gate-Source Pinch-Off Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value]
ピン数 — 3 functional + 1 tab (4 leads)
ESD Protection — Integrated Zener diodes on gate

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