BSP135H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP135H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP135H6906XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP135H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) SIPMOS (planar high-voltage)
動作温度範囲 -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 1 (unlimited)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
ピン数 — 4 (3 leads + drain tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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