BSP135H6906XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP135H6906XTSA1 メーカー: Infineon および BSP315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP135H6906XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.31
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
動作温度範囲 -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) OptiMOS (enhancement mode)
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼