BSP92PH6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP92PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSR316PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP92PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
動作温度 -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル 1 (unlimited) 1
ピン数 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
動作温度範囲 — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
RoHS ステータス — Compliant
Polarity — P-Channel

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