BSP92PH6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP92PH6327XTSA1 por Infineon e BSR316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP92PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,31 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Contagem de pinos 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
Status RoHS — Compliant
Polarity — P-Channel

Fichas técnicas e recursos

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