BSP92PH6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP92PH6327XTSA1 von Infineon und BSR316PH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP92PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Transistortyp P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Betriebstemperatur -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL-Level 1 (unlimited) 1
Pin-Anzahl 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
RoHS-Status — Compliant
Polarity — P-Channel

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