BSS169H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS169H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP316PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS169H6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.21
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ピン数 — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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